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概要 核融合炉Mk.I 構成ブロックの作成核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I)本体ブロック LuVマシン外装(LuV Machine Hull) LuVハッチ・バス(LuV ~ Hatch/Bus) 核融合炉Mk.I の組み立て ヘリウムプラズマの作成 ユーロピウムの作成 Cristalprocesser(とLuVマシン)の作成LuVマシンコンポーネントの作成について LuVマシンコンポーネントのレシピ基本素材の作成レシピ LuVマシンコンポーネントの作成レシピ レーザー刻印機(LuV) 回路組立機(LuV) クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の作成クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の量産について 多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board) ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire) クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロックの作成クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe) 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロック コメント 概要 時代内容主に核融合炉Mk.Iの組み立てと稼動を目指す時代。 核融合炉Mk.Iの構成ブロックの作成、稼動に必要に電力を確保する。 主な作業核融合炉Mk.Iの構成ブロックの作成 核融合炉Mk.Iの組み立て ヘリウムプラズマ(Helium Plasma)の作成 Crystal回路の作成 次の時代への目標核融合炉Mk.2の作成に必要な素材の確保 核融合炉Mk.I 構成ブロックの作成 1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire) とても小さなタングステン鋼液体パイプ (Tiny Tungstensteel Fluid Pipe) 押出加工機(HV):とても小さなタングステン鋼液体パイプ (Tiny Tungstensteel Fluid Pipe)×2・タングステン鋼インゴット (Tungstensteel Ingot)×1・押出加工機の型[とても小さなパイプ] (Extruder Shape (Tiny Pipe) ):1 ホットバナジウムガリウムインゴット (Hot Vanadium-Gallium Ingot) 電気高炉(HV)[4500K]:ホットバナジウムガリウムインゴット (Hot Vanadium-Gallium Ingot)×4・ガリウムインゴット (Gallium Ingot)×1・バナジウムインゴット (Vanadium Ingot)×3 バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot) 真空冷凍機(MV):バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot)×1・ホットバナジウムガリウムインゴット (Hot Vanadium-Gallium Ingot)×1 バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot) ワイヤー作成機(LV):1倍バナジウムガリウムワイヤー (1x Vanadium-Gallium Wire)×2・バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot)×1 1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire) クラフト:1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×3・1倍バナジウムガリウムワイヤー (1x Vanadium-Gallium Wire)×3・とても小さなタングステン鋼液体パイプ (Tiny Tungstensteel Fluid Pipe)×2・電気ポンプ[LV] (Electric Pump (LV) )×2・窒素セル (Nitrogen Cell)×1・ヘリウムセル (Hellium Cell)×1 レシピ本:核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I)) [スキャン]核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I) スキャナー[レシピスキャン](LV~):データスティック (Data Stick)[核融合制御コンピュータマークⅠ]・1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×1・データスティック (Data Stick):1 ※右下に配置 イカスミ (Squid Ink) Fluid Extractor (LV):イカスミ (Squid Ink):144mB・イカスミ (Ink Sac)×1 印刷ページ(Printed Pages) プリンター (LV):印刷ページ(Printed Pages)×1・紙 (Paper)×3・イカスミ (Squid Ink):144mB・データスティック (Data Stick)[核融合制御コンピュータマークⅠ]:1 ※右下に配置 記入済みの本(Written Book)[核融合制御コンピュータマークⅠ] 組立機 (LV):記入済みの本(Written Book)×1・印刷ページ(Printed Pages)×1・革 (Leather)×1・のり (Glue):20mB 核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I)本体ブロック + レシピ ネタバレ注意 核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I) 必要電力:30000EU/t (LuV~)、加工時間:50秒 Bus 1:核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1 Bus 2:クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 3:クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 4:クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 5:クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 6:プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate)×1 Bus 7:ネザースタープレート(Nether Star Plate)×1 Bus 8:空間発生器(IV) (Field Generator (IV) )×2 Bus 9:HPICウエハー (HPIC Wafer)×32 Bus 10:1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×32 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):2880mB 核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1 超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block) 2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire) クラフト:2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire)×1・1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×2 超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block) クラフト:超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block)×1・2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire)×8・レンチ:1 イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector) 錫合金インゴット (Tin Alloy Ingot) 合金製錬機(LV):錫合金インゴット (Tin Alloy Ingot)×2・鉄インゴット (Iron Ingot)×1・錫インゴット (Tin Ingot)×1 錫合金プレート (Tin Alloy Plate) 金属加工機(LV):錫合金プレート (Tin Alloy Plate)×1・錫合金インゴット (Tin Alloy Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1]):1 中性子反射板 (Neutron Reflector) クラフト:中性子反射板 (Neutron Reflector)×1・錫合金プレート (Tin Alloy Plate)×6・ベリリウムプレート (Berylium Plate)×1・グラファイトの粉 (Graphite Dust)×2 ホットタングステンカーバイドインゴット(Hot Tungstencarbide Ingot) 電気高炉(HV)[2460K]:ホットタングステンカーバイドインゴット(Hot Tungstencarbide Ingot)×2・タングステンインゴット(Tungsten Ingot)×1・カーボンの粉(Carbon Dust)×1 タングステンカーバイドインゴット(Tungstencarbide Ingot) 真空冷凍機(MV):タングステンカーバイドインゴット(Tungstencarbide Ingot)×1・ホットタングステンカーバイドインゴット(Hot Tungstencarbide Ingot)×1 タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate) 金属加工機(LV):タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate)×1・タングステンカーバイドインゴット(Tungstencarbide Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1]):1 厚い中性子反射板 (Thick Neutron Reflector) クラフト:厚い中性子反射板 (Thick Neutron Reflector)×1・タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate)×1・ベリリウムプレート (Berylium Plate)×2・中性子反射板 (Neutron Reflector)×2 イリジウム合金インゴット (Iridium Alloy Ingot) クラフト:イリジウム合金インゴット (Iridium Alloy Ingot)×1・合金板 (Advanced Alloy)×4・イリジウムプレート (Iridium Plate)×4・工業用ダイヤモンド (Industrial Diamond)×1 イリジウム強化プレート (Iridium Reinforced Plate) 内破圧縮機(LV):イリジウム強化プレート (Iridium Reinforced Plate)×1+とても小さな黒灰 (Tiny Pile of Dark Ashes)×4・イリジウム合金インゴット (Iridium Alloy Ingot)×1・[火薬箱 (Powderbarrel)×16/ダイナマイト (Dynamite)×4/TNT×4/工業用TNT (Industrial TNT)×2] イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector) クラフト:イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector)×1・タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate)×2・イリジウム強化プレート (Iridium Reinforced Plate)×1・厚い中性子反射板 (Thick Neutron Reflector)×6 空間発生器(MV) (Field Generator (MV) ) 空間発生器(MV) (Field Generator (MV) ) クラフト:空間発生器(MV) (Field Generator (MV) )×1・エンダーアイ (Ender Eye)×1・2倍オスミウムワイヤー(2x Osmium Wire)×4・MV電子回路×4 核融合コイルブロック(Fusion Coil Block) クラフト:核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1・超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block)×1・空間発生器(MV) (Field Generator (MV) )×2・イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector)×2・LuV電子回路×4 プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate)×1 とても小さなプルトニウム241の粉(Tiny Pile of Plutonium 241 Dust) 遠心分離(HV):とても小さなプルトニウム241の粉(Tiny Pile of Plutonium 241 Dust)×1(20%)+とても小さなウラン238の粉(Tiny Pile of Uranium 238 Dust)×1(30%)・プルトニウム239の粉(Plutonium 239 Dust)×1 プルトニウム241の粉(Plutonium 241 Dust) クラフト:プルトニウム241の粉(Plutonium 241 Dust)×1・とても小さなプルトニウム241の粉(Tiny Pile of Plutonium 241 Dust)×9 プルトニウム241インゴット(Plutonium 241 Ingot) 製錬:プルトニウム241インゴット(Plutonium 241 Ingot)×1・プルトニウム241の粉(Plutonium 241 Dust)×1 プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate) 金属加工機(LV):プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate)×1・プルトニウム241インゴット(Plutonium 241 Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1]):1 ネザースタープレート(Nether Star Plate)×1 ネザースターブロック(Nether Star Block) 圧縮機(LV):ネザースターブロック(Nether Star Block)×1・ネザースター(Nether Star)×9 ネザースタープレート(Nether Star Plate) 切断機(LV):ネザースタープレート(Nether Star Plate)×9・ネザースターブロック(Nether Star Block)×1・潤滑油(Lebricant):22mB 空間発生器(IV) (Field Generator (IV) )×2 クアンタムスター(Quantum Star) #ref error :ご指定のファイルが見つかりません。ファイル名を確認して、再度指定してください。 (quantum_star.png) 化学槽(HV):クアンタムスター(Quantum Star)×1・ネザースター(Nether Star)×1・ラドン(Radon):1250mB 空間発生器(IV) (Field Generator (IV) ) クラフト:空間発生器(IV) (Field Generator (IV) )×1・クアンタムスター(Quantum Star)×1・IV電子回路×4・16倍オスミウムワイヤー(16x Osmium Wire)×4 HPICウエハー (HPIC Wafer)×32 PICウエハー (PIC Wafer) レーザー刻印機(HV)[無菌室]:PICウエハー (PIC Wafer)×1・グロウストーン注入ウエハー(Quantum Star)×1・青色レンズ([Sappire/Opal/Blue Topaz] Lens):1 リン化インジウムガリウムの粉 (Indium Gallium Phosphide Dust) クラフト:リン化インジウムガリウムの粉 (Indium Gallium Phosphide Dust)×3・インジウムの粉(Indium Dust)×1・ガリウムの粉(Gallium Dust)×1・リンの粉(Phosphor Dust)×1 HPICウエハー (HPIC Wafer) 化学反応炉(EV):HPICウエハー (HPIC Wafer)×1・PICウエハー (PIC Wafer)×1・リン化インジウムガリウムの粉 (Indium Gallium Phosphide Dust)×2・溶融赤合金(Molten Red Alloy):288mB クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×4 1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×32 溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):2880mB LuVマシン外装(LuV Machine Hull) LuVマシン外装(LuV Machine Casing) クラフト:LuVマシン外装(LuV Machine Casing)×1・クロムプレート (Chrome Plate)×8・レンチ:1 LuVハッチ・バス(LuV ~ Hatch/Bus) LuVマシン筐体(LuV Machine Casing) 組立機(LV):LuVマシン筐体(LuV Machine Casing)×1・LuVマシン外装(LuV Machine Hull)×1・1倍バナジウムガリウムケーブル (1x Vanadium-Gallium Cable)×2・溶融ポリエチレン:288mB LuVエネルギーハッチ(LuV Energy Hatch) クラフト:LuVエネルギーハッチ(LuV Energy Hatch)×1・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1・1倍バナジウムガリウムケーブル (1x Vanadium-Gallium Cable)×1 LuV搬入ハッチ(LuV Input Hatch) クラフト:LuV搬入ハッチ(LuV Input Hatch)×1・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1・強化ガラス (Reinforced Glass)×1 LuV搬出ハッチ(LuV Output Hatch) クラフト:LuV搬出ハッチ(LuV Output Hatch)×1・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1・強化ガラス (Reinforced Glass)×1 核融合炉Mk.I の組み立て 1段目・LuVマシンケーシング:322段目・超電導コイルブロック 32・LuVマシンケーシング 58~46・LuVエネルギーハッチ 4~16・LuV搬出ハッチ 1・核融合炉Mk.1本体ブロック 13段目・LuVマシンケーシング:32 GUI NEIレシピ クラフトごとに起動する際に起電力が必要になる。核融合炉Mk.1に取り付けたエネルギーハッチの数で蓄電量が決まる(エネルギーハッチ1個で1000万EU蓄電でき、最大で16個設置できる) ヘリウムプラズマの作成 ヘリウム3(Helium-3) 遠心分離機(LV):ヘリウム3(Helium-3):100mB + エンドストーン(Endstone Dust)×1・汚れたエンドストーンの粉(Impure Pile of Endstone Dust)×1・ヘリウム3(Helium-3):100mB遠心分離機(MV):ヘリウム3(Helium-3):1mB・ヘリウム(Helium):16mB 重水素(Deuterium) 遠心分離機(LV):重水素(Deuterium):4mB・水素(Hydrogen):16mB ヘリウムプラズマ(Hellium Plasma) 核融合炉(EV):ヘリウムプラズマ(Hellium Plasma):125mB・ヘリウム3(Helium-3):125mB・重水素(Deuterium):125mB起電力:60 000 000EU ユーロピウムの作成 溶融ユーロピウム(Molten Europium) 核融合炉(LuV):溶融ユーロピウム(Molten Europium):16mB・水素(Hydrogen):48mB・溶融ネオジム(Molten Neodymium):16mB起電力:150 000 000EUレート:水素:3 + 溶融ネオジム:1→ 溶融ユーロピウム:1 Cristalprocesser(とLuVマシン)の作成 クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) 回路組立機(LuV~):多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・クリスタルプロセッシングユニット(Crystal Processing Unit)×1・ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×1・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×2・チップトランジスタ(SMD Transistor)×2・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×2・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[72/144/288]mB クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser),クリスタルプロセッシングユニット(Crystal Processing Unit)の作成にLuVマシンが必要になるため、まずは回路組立機(LuV)、レーザー刻印機(LuV)を作成する。 LuVマシンコンポーネントの作成について LuV以降のマシンコンポーネント(電気モーター、コンベアーモジュール等)は「組み立てライン(Assembly Line)」を使用して作成していく。作成レシピやデータは、作成したいマシンコンポーネントの一つ下の電圧レベルのアイテムをスキャンすることで入手できる(例:「電気モーター(LuV)」を作成する場合は「電気モーター(IV)」をスキャナーでスキャンする)。 LuVマシンコンポーネントのレシピ 組み立てラインで作成するアイテムのNEIレシピはアイテム作成の実績を取るとNEIレシピに表示される。 実績は組み立てライン(Assembly Line)で作成したアイテムを拾うことで獲得できる。 ※スキャナーでスキャンしたデータスティックがないと必要アイテムを揃えても組み立てラインを起動できない。 基本素材の作成レシピ 1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable) イットリウムの粉(Small Yttrium Dust) 遠心分離機[Centrifuge](LV~):・レアアース(Rare Earth)×1※25%の確率で入手できる。レアアースはレッドストーン鉱石の加工やモナズ石の粉の電気分解等で入手できる。 バリウムの粉(Barium Dust) 電気分解[Electrolyzer](MV~):・重晶石の粉(Barite Dust)×6重晶石はクォーツ鉱脈から入手できる。 イットリウムバリウム銅酸塩の粉(Yttrium Barium Cuprate Dust) クラフト:・イットリウムの粉(Yttrium Dust)×1・バリウムの粉(Barium Dust)×2・銅の粉(Copper Dust)×3 イットリウムバリウム銅酸塩インゴット(Yttrium Barium Cuprate Ingot) 電気高炉(MV~)[4500K~]:・イットリウムバリウム銅酸塩の粉(Yttrium Barium Cuprate Dust)×1真空冷凍機(MV~):・ホットイットリウムバリウム銅酸塩インゴット(Hot Yttrium Barium Cuprate Ingot)×1 1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable) ケーブル作成機[Wiremill](LV~):・イットリウムバリウム銅酸塩インゴット(Yttrium Barium Cuprate Ingot)×1組立機(LV~):・1倍イットリウムバリウム銅酸塩ワイヤー(1x Yttrium Barium Cuprate Wire)×1・[イットリウムバリウム銅酸塩ホイル(Yttrium Barium Cuprate Foil)/ポリフェニレンスルファイドホイル(Polyphenylene Sulfide Foil]×1・プログラム回路[24](Programmed Circuit[Config = 24]):1・[溶融シリコーンゴム(Molten Silicone Rubber)/溶融スチレン・ブタジエンゴム(Molten Styrene-Butadiene Rubber)]:72mB※プログラム回路の代わりに、[小さなポリ塩化ビニルパルプ(Polyvinyl Chloride Pulp)か小さなポリメチルシロキサンパルプ(Polymethylsilxanee Pulp)を使用することで、溶融ゴムの使用量を減らすことができる(72mB → 36mB) HSS-G鋼アイテム(HSS-G ~ ) HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate) プレート作成機[Bending Machine](LV~):・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit[Config = 1]) 1 HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod) 押出加工機[Extruder](HV~):・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1・押出加工機の型(ロッド)(Extruder Shape (Rod)) 1 ロングHSS-G鋼ロッド(Long HSS-G Rod) ハンマー[Forge Hammer](LV~):・HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×2 HSS-G鋼スクリュー(HSS-G Screw) 切断機[Cutting Machine](LV~):・HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×1・潤滑油(Lubricant) 1mB→旋盤[Lathe](LV~):・HSS-G鋼ボルト(HSS-G Bolt)×1 HSS-G鋼リング(HSS-G Ring) 押出加工機[Extruder](HV~):・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1・押出加工機の型(リング)(Extruder Shape (Ring)) 1 HSS-G鋼ローター(HSS-G Rotor) 組立機[Assembling Machine](LV~):・HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×4・HSS-G鋼リング(HSS-G Ring)×1・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[16/32/48]mB HSS-G鋼ラウンド(HSS-G Round) 製錬[かまど]:・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1→旋盤[Lathe](LV~):・HSS-G鋼ナゲット(HSS-G Nugget)×1 HSS-G鋼ギア(HSS-G Gear) 押出加工機[Extruder](HV~):・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×4・押出加工機の型(ギア)(Extruder Shape (Gear)) 1 小さなHSS-G鋼ギア(Small HSS-G Gear) クラフト:・HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×1・ハンマー(Hammer) 1 HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box) 組立機[Assembling Machine](LV~):・HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×4・プログラム回路[4](Programmed Circuit[Config = 4) 1 LuVマシンコンポーネントの作成レシピ + Electric Motor(LuV) 電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV)) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:ロング磁性ネオジムロッド(Long Magnetic Neodymium Rod)×1 Bus 2:ロングHSS-G鋼ロッド(Long HSS-G Rod)×2 Bus 3:軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 4:軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 5:軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 6:軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 7:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×2 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):144mB Hatch 2:潤滑油(Lubricant):250mB ロング磁性ネオジムロッド(Long Magnetic Neodymium Rod) ハンマー[Forge Hammer](LV~):・ネオジムロッド(Neodymium Rod)×2→磁化機[Polarizer](HV~):・ロングネオジムロッド(Long Neodymium Rod)×1 + Electric Pump(LuV) 電気ポンプ(LuV)(Electric Pump (LuV)) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×1 Bus 2:小さな高圧液体パイプ(Small High Pressure Fluid Pipe)×2 Bus 3:HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×2 Bus 4:HSS-G鋼スクリュー(HSS-G Screw)×8 Bus 5:シリコーンゴムリング(Silicone Rubber Ring)×4 Bus 6:HSS-G鋼ローター(HSS-G Rotor)×2 Bus 7:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×2 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):144mB Hatch 2:潤滑油(Lubricant):250mB 小さな高圧液体パイプ(Small High Pressure Fluid Pipe) ハンマー[組立機[Assembling Machine](MV~):・小さなタングステン鋼液体パイプ(Small Tungstensteel Fluid Pipe)×1・電気ポンプ(EV)(Electric Pump (EV))×1 + Conveyor Module(LuV) コンベヤーモジュール(LuV)(Conveyor Module (LuV)) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×2 Bus 2:HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×2 Bus 3:HSS-G鋼リング(HSS-G Ring)×4 Bus 4:HSS-G鋼ラウンド(HSS-G Round)×32 Bus 5:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×2 Hatch 1:溶融スチレン - ブタジエンゴム(Molten Styrene-Butadiene Rubber):1440mB Hatch 2:潤滑油(Lubricant):250mB + Electric Piston(LuV) 電気ピストン(LuV)(Electric Piston (LuV)) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×1 Bus 2:HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×6 Bus 3:HSS-G鋼リング(HSS-G Ring)×4 Bus 4:HSS-G鋼ラウンド(HSS-G Round)×32 Bus 5:HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×4 Bus 6:HSS-G鋼ギア(HSS-G Gear)×1 Bus 7:小さなHSS-G鋼ギア(Small HSS-G Gear)×2 Bus 5:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×4 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):144mB Hatch 2:潤滑油(Lubricant):250mB + Robot Arm (LuV) ロボットアーム(LuV)(Robot Arm (LuV)) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:ロングHSS-G鋼ロッド(Long HSS-G Rod)×4 Bus 2:HSS-G鋼ギア(HSS-G Gear)×1 Bus 3:小さなHSS-G鋼ギア(Small HSS-G Gear)×3 Bus 4:電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×2 Bus 5:電気ピストン(LuV)(Electric Piston (LuV))×1 Bus 6:マスタークアンタムコンピュータ(Master Quantumcomputer)×2 Bus 7:クアンタムプロセッサーアセンブリ(Quantumprocessor Assembly)×2 Bus 8:ナノプロセッサー(Nanoprocessor)×6 Bus 9:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×6 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):576mB Hatch 2:潤滑油(Lubricant):250mB + Emitter(LuV) エミッター(LuV)(Emitter (LuV)) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box)×1 Bus 2:エミッター(IV)(Emitter (IV))×1 Bus 3:エミッター(EV)(Emitter (EV))×2 Bus 4:エミッター(HV)(Emitter (HV))×4 Bus 5:ナノプロセッサー(Nanoprocessor)×7 Bus 6:エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 7:エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 8:エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 9:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×7 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):576mB + Sensor(LuV) センサー(LuV)(Sensor (LuV)) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box)×1 Bus 2:センサー(IV)(Sensor (IV))×1 Bus 3:センサー(EV)(Sensor (EV))×2 Bus 4:センサー(HV)(Sensor (HV))×4 Bus 5:ナノプロセッサー(Nanoprocessor)×7 Bus 6:エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 7:エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 8:エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 9:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×7 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):576mB + Field Generator(LuV) 空間発生器(LuV)(Field Generator (LuV)) #ref error :ご指定のファイルが見つかりません。ファイル名を確認して、再度指定してください。 (field_generator_luv.png) 必要電力:6000EU/t (IV~)、加工時間:30秒 Bus 1:HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box)×1 Bus 2:HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×6 Bus 3:クアンタムスター(Quantum Star)×1 Bus 4:エミッター(LuV)(Emitter (LuV))×4 Bus 5:マスタークアンタムコンピュータ(Master Quantumcomputer)×8 Bus 6:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 7:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 8:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 9:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 10:1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×8 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):576mB レーザー刻印機(LuV) レーザー刻印機(LuV) (Advanced Precision Laser Engraver V) クラフト:・エミッター(LuV)(Emitter (LuV))×1・電気ピストン(LuV)(Electric Piston (LuV))×2・LuV電子回路(Master Quantumcomputer)×3・1倍ニオブチタンケーブル(1x Niobium-Titanium Cable)×2・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1 回路組立機(LuV) 回路組立機(LuV) (Advanced Circuit Assembling Machine V) クラフト:・ロボットアーム(LuV)(Robot Arm (LuV))×1・エミッター(LuV)(Emitter (LuV))×1・コンベヤーモジュール(LuV)(Conveyor Module (LuV))×2・ZPM電子回路(Quantumcomputer Mainframe)×2・1倍ニオブチタンケーブル(1x Niobium-Titanium Cable)×2・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1 クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の作成 クリスタルCPU(Cristal Processing Unit) 生のクリスタルチップ (Raw Crystal Chip) Autoclave(HV~):・とても大きなエメラルド/かんらん石(Exquisite [Olivine/Emerald])×1・溶融ユーロピウム:16mB※10%の確率で作成できる。 刻印されたクリスタルチップ (Engraved Crystal Chip) 電気高炉(HV~)[5000K~]:・生のクリスタルチップ (Raw Crystal Chip)×1・エメラルド/かんらん石プレート([Olivine/Emerald] Plate)×1・ヘリウム:1000mB クリスタルCPU (Crystal Processing Unit) レーザー刻印機(LuV~):・刻印されたクリスタルチップ (Engraved Crystal Chip)×1・エメラルドレンズ(Emerald Lens):1※無菌室(Cleanroom)内で作成する。 クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の量産について クリスタルCPU (Crystal Processing Unit)を単体クラフトすると、生のクリスタルチップ (Raw Crystal Chip)が9個作成できるため、最初の一個目はAutoclaveを使用したレシピでチップを作成して、それ以降はクリスタルCPU の単体クラフトで増やしていく。 多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board) 多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board) 化学反応器[Largeでも可](HV~):・繊維強化回路基板(Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・エレクトラムホイル(Electrum Foil)×16・硫酸(Sulfuric Acid):250mB ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire) ニオブの粉(Niobium Dust [Tiny Pile of Niobium Dust]) 入手方法:熱遠心分離[Thermal Centrifuge]:[砕けた/洗浄された]タンタル石([Crushed/Purified] Tantalite Ore)×1→Tiny Pile of Niobium Dust×1遠心分離[ Centrifuge]:洗浄されたタンタル石の粉(Purified Tantalite Dust)×1→Tiny Pile of Niobium Dust×1電気分解[ Electrolyzer]:パイロクロアの粉(Pyrochlore Dust)×11→Niobium Dust×2粉砕副産物[Pulverization]:・洗浄されたタンタル石(Purified Tantalite Ore)・熱遠心分離されたパイロクロア鉱石(Centrifuged Pyrochlore Ore)・熱遠心分離された軟マンガン鉱石(Centrifuged Pyrolusite Ore)→Niobium Dust×1(10%) ニオブインゴット(Niobium Ingot) 電気高炉(MV~)[4500K~]:・ニオブの粉(Niobium Dust)×1→真空冷凍機(MV~):・ホットニオブインゴット(Hot Niubium Ingot)×1 ニオブチタンインゴット(Niobium-Titanium Ingot) 電気高炉(MV~)[4500K~]:・ニオブインゴット(Niobium Ingot)×1・チタンインゴット(Titanium Ingot)×1真空冷凍機(MV~):・ホットニオブチタンインゴット(Hot Niobium-Titanium Ingot)×1 ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire) ケーブル作成機[Wiremill](LV~):・ニオブチタンインゴット(Niobium-Titanium Ingot)×1→ケーブル作成機[Wiremill](LV~):・1倍ニオブチタンワイヤー(1x Niobium-Titanium Wire)×1 クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) 回路組立機(LuV~):多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・クリスタルプロセッシングユニット(Crystal Processing Unit)×1・ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×1・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×2・チップトランジスタ(SMD Transistor)×2・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×2・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[72/144/288]mB 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロックの作成 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)[レシピ] スキャナー:・ユーロピウムブロック(Block of Europium)×1・データスティック:1 核融合マーク1で作成できるユーロピウムをブロックにしたものをスキャンすることで核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロックの作成レシピがわかる。 クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe) クリスタルプロセッサーメインフレーム(Cristalprocesser Mainframe) 回路組立機[Circuit Assembler](LuV~):多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser)×2・小さなコイル(Small Coil)×4・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×4・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×6・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[144/288/576]mB 回路組立機[Circuit Assembler](LuV~):多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×2・クリスタルプロセッサーアセンブリ(Cristalprocesser Assembly)×3・チップダイオード(SMD Diode)×4・NORメモリチップ(NOR Memory Chip)×4・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×6・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[144/288/576]mB 回路組立機[Circuit Assembler](LuV~):アルミニウムフレームボックス(Aluminium Frame Box)×1・アルティメットクリスタルコンピュータ(Ultimate Crystalcomputer)×4・小さなコイル(Small Coil)×4・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×24・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×161倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×12・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[288/576/1152]mB 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロック + レシピ 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II) 必要電力:60000EU/t (LuV[2A~]/ZPM~)、加工時間:50秒 Bus 1:核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1 Bus 2:クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 3:クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 4:クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 5:クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 6:ユーロピウムプレート(Europium Plate)×4 Bus 7:空間発生器(LuV) (Field Generator (LuV) )×2 Bus 8:HPICウエハー (HPIC Wafer)×48 Bus 9:2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire)×32 Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):2880mB ※組立ラインのLuVエネルギーハッチを2個にして、LuV電力を2Aにすることで60000EU/tを確保できる(LuVバッテリーを2個入れたバッテリーバッファの出力繋げるなど)。 コメント 名前 コメント
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【登録タグ L MEIKO MineK VOCALOID 曲 神威がくぽ】 作詞:MineK 作曲:MineK 編曲:MineK 唄:がくっぽいど コーラス MEIKO 曲紹介 たまにはハウスじゃない曲を。チャラい感じのノリのいい曲。 コーラスにはMEIKOも参加。 歌詞 キミの瞳に(Think of you) 操られるように(U Me) ボクの意識が(All of you) 暴走していく キミの素肌に(Just for you) 吸い込まれるように(U Me) ボクのこの手に(All of you) もっと触れさせてくれ ah 何もできない事に イラついてる無駄な時間を キミとの大切な時間に 絶対に変えてやるのさ Venus! Luv Venus, Luv Luv Venus! ボクだけのVenusにしたい Luv Venus, Luv Luv Venus! キミだけの愛にこの身を捧げよう Luv Venus, Luv Luv Venus! キミの素顔に(Think of you) 騙されるように(U Me) ボクの理性が(All of you) 崩壊していく キミの胸元に(Just for you) 誘惑されるように(U Me) ボクのこの手に(All of you) もっと触れさせてくれ ah 何も解らない事に 立ち止まってる無駄な時間を キミとのイケてる時間に 絶対に変えてやるのさ Venus! Luv Venus, Luv Luv Venus! キミの笑顔独り占めにしたい Luv Venus, Luv Luv Venus! ボクだけの愛に答えてよ My Venus Luv Venus, Luv Luv Venus! ボクだけのVenusになってよ Luv Venus, Luv Luv Venus! キミへの気持ち全てさらけ出したい Luv Venus, Luv Luv Venus! ボクだけのVenusにしたい Luv Venus, Luv Luv Venus! キミだけの愛にこの身を捧げよう Hu.... Luv Venus, Luv Luv Venus! Luv Venus! コメント もっと評価されるべき。 -- M.M (2012-02-11 19 34 26) 超好きー -- 名無しさん (2012-06-30 20 34 02) 再生回数、もっと伸びろぉぉぉおお!!! -- 脱走人形 (2013-08-12 11 11 18) 名前 コメント
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Try 2 Luv.U(楽) 曲名 アーティスト フォルダ 難易度 BPM NOTES/FA(SA) その他 Try 2 Luv.U S.F.M.P. SN 楽4 115 88 / 7 CS版EXT初出 STREAM VOLTAGE AIR FREEZE CHAOS 23 19 3 18 0 楽譜面(4) / 踊譜面(6) / 激譜面(8) / 鬼譜面(-) 属性 ラス殺し 譜面 http //livedoor.blogimg.jp/yanmar195/imgs/c/3/c38858e1.png 解説 DDR A稼動時にジャケットが変更された 低BPMにしては4分が控えめで、ノーツもかなり少ない。踊とは反対に逆詐称気味 -- 名無しさん (2016-11-19 16 28 21) 名前 コメント コメント(私的なことや感想はこちら) 名前 コメント
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Try 2 Luv.U(踊) 曲名 アーティスト フォルダ 難易度 BPM NOTES/FA(SA) その他 Try 2 Luv.U S.F.M.P. SN 踊6 115 127 / 10 CS版EXT初出 STREAM VOLTAGE AIR FREEZE CHAOS 34 28 16 30 2 楽譜面(4) / 踊譜面(6) / 激譜面(8) / 鬼譜面(-) 属性 渡り 譜面 http //livedoor.blogimg.jp/yanmar195/imgs/8/b/8b2509b9.png 解説 DDR A稼動時にジャケットが変更された 典型的な踊6詐称で、低BPMとは言え8分3連渡りが余りにも頻発するのは許される範疇ではない -- 名無しさん (2016-11-19 16 27 03) 名前 コメント コメント(私的なことや感想はこちら) 名前 コメント
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Save Your Nuts 項目数:26 総ポイント:1000 難易度: Beavil Knievil Unlock the Beaver. Fast swimmer and kicker. He can be evil. He s Beavil Knievil. 10 Lupino Fury Fury s stronger attacks will knock down anyone on his way. 10 Promissing Star Unlock your 1st arena 10 Challenger Win a match against a team of hard bots 10 Nutworking Play a local match with 4 players 10 Party On Play a local match with MORE than 4 players 10 Never Give Up Win a match during overtime 20 More punch, anyone? 100 punch in one match 10 Cleptomaniacs Steal more than 5 nuts in a single Thieves match 10 Sorry to Burst Your Bubble Win a battle without losing any balloons 75 Selfie Score 5 goals in Capture The Nut 75 Fast Learner Finish the tutorial in less than 30s 75 Quickie Win a Capture The Nut match in less than 1 min 25 There are bots in my Yard! Win a hard match alone against 4 bots in BACKYARD 75 Party at the Park Win a hard match alone against 4 bots - PARK 75 Catch your Train Win a hard match alone against 4 bots - TRAIN STATION 75 Rocket Science Win a hard match alone against 4 bots - SPACE STATION 75 Bots On Ice Win a hard match alone against 4 bots - ICE LAKE 75 AI Crawler Win a hard match alone against 4 bots - DUNGUEON 75 Nutty Rivers Win a hard match alone against 4 bots - WATERFALLS 75 Canon Challenge Win a hard match alone against 4 bots - PIRATE SHIP 75 I can fly! Save a nut with a Jetpack 10 Stomach Sick Get 3 Poop Traps in a single match 10 Bomber Man Knock at least 2 opponents with a single bomb 10 Greedy Boy Cumulate the power of a coffee, a donut and a hotdog 10 Who let the dogs out? Win a game with a team made of dogs only 10
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CANってのは、ショップで買い物すると貰えるポイントのことだよ 貰える条件と還元率はコレだ!! ◆M(モエン)で買った場合 1000M以上購入の時に購入額の0.2%還元 ◆APで買った場合 100コイン以上購入の時に購入額の5%還元 貰えたCANは専用ショップの『きゃんでぃ』で利用できるんだ たくさんお買い物してCANがたまってきたら行ってみるしかないっしょ~♪
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Try 2 Luv.U(激) 曲名 アーティスト フォルダ 難易度 BPM NOTES/FA(SA) その他 Try 2 Luv.U S.F.M.P. SN 激8 115 169 / 12 CS版EXT初出 STREAM VOLTAGE AIR FREEZE CHAOS 46 38 7 36 12 楽譜面(4) / 踊譜面(6) / 激譜面(8) / 鬼譜面(-) 属性 渡り 譜面 http //livedoor.blogimg.jp/yanmar195/imgs/b/9/b9d71cd5.png プレイ動画 https //www.youtube.com/watch?v=vzTLgcd6yTU (x3.0, NOTE) 解説 DDR A稼動時にジャケットが変更された 短い8分メインで配置も素直な譜面。DP激入門譜面の1つに入れることもできるが、踏み急ぎにだけは注意。 -- 名無しさん (2010-09-04 16 59 17) SPにあった終盤の音合せ16分2連は無くなっている為、8分渡り勝負になる。BPMが遅い為、早踏みすることなくスライドすることなくこなしていこう -- 名無しさん (2014-04-16 04 11 47) 名前 コメント コメント(私的なことや感想はこちら) 名前 コメント